世界最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年之前推出400层垂直NAND闪存芯片，以引领人工智能（ai）热潮中快速增长的存储设备市场。

根据《韩国经济日报》获得的三星电子存储芯片开发路线图，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的目标是，最早在2026年生产出垂直堆叠至少400层的垂直NAND，以实现容量和性能的最大化。

三星电子目前正在量产286层高容量V9 NAND闪存。

在目前的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，300层以上的堆叠电池往往会损坏外围。

三星电子计划在第10代V NAND （V10）上，采用在不同的晶片上分别制作电池和外设，然后粘合在一起的创新粘合技术。

三星电子表示，通过这种方法，可以实现存储容量大、散热性能好的“超高”NAND堆叠，这是人工智能数据中心使用的超高容量固态硬盘（ssd）的理想选择。

据该公司介绍，这种芯片被称为键合垂直NAND闪存，简称BV NAND，是“人工智能的梦想NAND”。

2013年，三星电子在业界率先推出了垂直堆叠存储单元，以最大限度地提高容量。

三星电子表示，BV NAND的单位面积比特密度将提高1.6倍。

三星电子的目标是进一步开发堆叠技术，并于2027年推出数据输入和输出速度提高50%的V11 NAND。

三星电子还计划针对希望管理高人工智能半导体投资成本的科技公司，推出SSD订阅服务。

到2030年超过1000层的芯片

三星电子表示，要巩固在大容量高性能NAND闪存市场的领导地位。

由于人工智能芯片的核心是推理，因此需要大容量的存储设备来存储和处理图像和视频，因此nand存储设备的竞争非常激烈。

NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在断电时也能存储数据。它目前被用于智能手机、USB驱动器和服务器等设备。

根据市场追踪机构TrendForce的数据，三星已经是NAND市场的主导者，截至第二季度，三星占据了全球市场36.9%的份额。

三星高管表示，该公司的目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以提高密度和存储能力。

DRAM实力

三星电子为了巩固DRAM的领先地位，计划最早于今年年底推出用于HBM4等先进人工智能芯片的第6代10纳米DRAM （1c DRAM）和第7代10纳米DRAM （1d DRAM）。

根据三星电子的存储器发展蓝图，将于2027年推出10nm以下的DRAM，即0a DRAM。

0a DRAM的主要特点是应用垂直通道晶体管（VCT） 3D结构，类似于NAND闪存中使用的技术，以提高性能和稳定性。

三星电子表示，通过垂直堆叠电池，VCT DRAM可以减少电池之间的干扰，并增加容量。

三星电子还计划加快开发除HBM之外的低功耗处理器（LP-PIM）等人工智能专用存储器产品。

三星芯片主管全英贤：坚定的改革者

本月早些时候，三星公布了逊于预期的第三季度初步收益后，三星副董事长、DS部门负责人全英贤（Jun Young-hyun）表示将进行大规模的公司重组。

尽管三星在整个DRAM市场处于领先地位，但它在HBM市场仍难以赶上同城竞争对手SK海力士（SK Hynix Inc.）。SK海力士是全球第二大内存制造商，也是英伟达（Nvidia Corp.）高端HBM芯片的主要供应商。

根据市场研究公司Gartner的数据，到2026年，全球内存市场预计将从2024年的920亿美元增长到2270亿美元。

三星预计，服务器DRAM和企业SSD （eSSD）市场在2024年至2029年间将分别以每年27%和35%的速度增长。